美国“手下留情”，中国7nm还有一线生机（图）

荷兰政府宣布包括深紫外光刻机等数种先进半导体设备出口的新规定，将于9月1日生效。而所谓限制，指的是出口前必须获得许可证。不过据生产顶尖光刻机的艾斯摩尔（ASML）公司官网表示，支持38nm制程的浸润式DUV光刻机（1980Di）不在限制范围内，这型光刻机可支持到7nm左右，但步骤更为复杂、成本更高。一般最多用到14nm制程，14nm以下良率会有些损失。

ASML官网提供的资讯指出，DUV光刻机TWINSCAN NXT:1980Di出口未受限，分辨度大于等于38nm，经重複曝光可支持到7nm左右。（图／ASML）

据《快科技》报道， ASML在其官网发表声明称，该公司未来出口其先进的浸润式DUV光刻系统（即TWINSCAN NXT:2000i及后续浸润式系统）时，将需要向荷兰政府申请出口许可证。

ASML强调，该公司的EUV系统的销售此前已经受到限制。

报道引述ASML官网提供的资讯指出，该公司目前在售的主流浸润式DUV光刻机产品共有3款，分别是：TWINSCAN NXT:1980Di、TWINSCAN NXT:2000i、TWINSCAN NXT:2050i。

ASML在今年3月曾表示，预计2000i和2050i这2款产品会受到荷兰政府的出口限制。再对比今日的回应来看，TWINSCAN NXT:1980Di这款浸润式DUV光刻机并不在限制范围内。

报道说，ASML官网上关于这一台TWINSCAN NXT:1980Di的介绍中指出，其分辨率大小于等于38nm（可以支持到7nm左右），而这是指一次曝光的解析度，事实上光刻机是可以进行多次曝光。

换言之，理论上NXT:1980Di依然可以达到7nm制程，只是步骤更为复杂，成本更高，良率可能也会有损失。报道说，目前晶圆厂用这一台光刻机，大多是生产14nm及以上工艺的芯片，很少去生产14nm以下的工艺，因为良率低，成本高，没什么竞争力。